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コイルとラムダダイオード [ラムダダイオード]

表題のコイルはラジオの修理のための試し巻きです。
昔のコイルは巻き枠が無くても良いハネカム巻きで多層に巻いてかつ、寄生容量を下げる工夫があります。
(調べてみるとハネカム巻きはそんなにも寄生容量が下がらず、かえって巻き枠を使っての分割巻きの方がよいようでした)

元のコイルは下側から1次側8.2mH(既に切れていった載せ推定)
33.4m 絹巻き外径0.15のエナメル単線0.1mm を675回(推定)
2段目 100回 直列 3段目75回 両方で8.3m 絹巻き外径0.2mm0.5φ5本撚りリッツ線 の同調コイルでした。
後で判って残念、2段目3段目は解かずに、1段目だけまき直せば良かったのでした。
しかし空芯は機械がないと675回も巻けないのが難点で、
他の工夫を考えています。

ラムダ(FET)ダイオードは高い周波数には向かないようですが、
並列数をSWで切り替え、並列可変抵抗で、負性抵抗とを変えて
共振回路損失に見合う、負性抵抗最適点を変化できます。
バリコンが1個で済み、SW切り替えでや容量を変化させる選択肢があります。
(100MHを越えるという報告もあります)
WS000943.JPG
始めはGND側に付け、プラス電源側からチョークで電圧供給しますが、チョークの分布容量による分割共振が出るので、
半導体チョークを考察していました、
しかし2SAタイプは種類が限られ周波数特性や定電流性が得られず、
困っていました。
(高抵抗で電圧差を無くするようにキャパシタで積分しながら導通度を変え低電流域を使う半導体チョークが最良のようです)
WS000942.JPG
チョット見方を変えラムダダイオードをプラス側に配置して
半導体チョークをGND側に持ってくるとトランジスタ
選択範囲が大幅に増え、もっと高性能になるのではと気づき
TRの選定中です。

WS000941.JPGこれを見ますとトランジスタでも負性抵抗になるようですが、

LTSpiceでシミュレートしてみますときれいな波形にはなりません。

PchFETは 2N4342 は見つけられず RF Pch FET ほとんど全滅で

FETとトランジスタの組み合わせ を考えていました。

Web検索するとなんと同じ回路がありました。

www.zen22142.zen.co.uk/Theory/neg_resistance/negres.htm

WS000947.JPG

シミュレータでは高い周波数にも対応できています。

7.5k+75kをVRにした方がよいかも・・

それと 便利なページを見つけました。

www2.renesas.com/microwave/ja/cross/marking.html

 

 

 

https://blog.so-net.ne.jp/MyPage/blog/article/edit/input?id=46902034

 


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発振回路研究 [ラムダダイオード]

ラムダダイオード、FETラムダダイオードが入手できたので発振回路を試してみます。

直列型で始めたのですが、ラムダダイオードは発振しにくく並列にしたりして負性抵抗を大きくせねば成りませんでした。

FETラムダの場合は電圧調節で周波数が大きく変わり、負性抵抗の非直線性が大きく影響するようです。

 

今度は並列型を試しました。

電圧を調節できる点から2種のインダクタを通してラムダダイオードをバイアスし、GNDに接続します。

インダクタとラムダの接続点から大きめのコンデンサで共振回路に接続しますと、

発振できる電圧範囲が広くなり、電圧を換えても周波数の変化が少なくなりました。

ラムダダイオードも1個で十分発振しました。

(FETラムダはまだ試していません)

追記

わーい、6月に入手して、(オークションでバリキャップとして出ていた)

使ってみようと身近においていたら、 行方不明になってしまっていた MA520 が出てきました。

「rlc」さんの カーブトレーサのデータ を見させて頂きまして

MA520 270uA 1.3~3.2v 

MA522-R 75uA 1.5~3.5v

発振回路用には MA520 の方が 電流が大きい分 向いていそうです。

追記、周波数カウンタを省いた回路図を書きました。

WS000902.JPG

 

 

 

 


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